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IMT4T108 +BOM

300mW 180@2mA Bipolar Transistors - BJT ROHS

Produttore:

Rohm Semiconductor
ProduttorePart #:

IMT4T108
Scheda dati:

IMT4T108 Scheda dati (PDF)
Transistor Type:

2 PNP (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max):

50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

500mV @ 1mA, 10mA
EDA/CAD Modelli:

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IMT4T108 Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 120V 50mA 140MHz 300mW Surface Mount SMT6

Caratteristiche principali

1) Two 2SA1514K chips in an AMT package.
2) High breakdown voltage.

Specifiche

Transistor Type	2 PNP (Dual)	Current - Collector (Ic) (Max)	50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	120V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)	500nA (ICBO)	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	180 @ 2mA, 6V
Power - Max	300mW	Frequency - Transition	140MHz
Operating Temperature	150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	MT4

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