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FLM7785-4F +BOM

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC PACKAGE-2

Produttore:

SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD
ProduttorePart #:

FLM7785-4F
Scheda dati:

FLM7785-4F Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Pin Count:

3
ECCN Code:

EAR99
Additional Feature:

HIGH RELIABILITY
EDA/CAD Modelli:

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FLM7785-4F Descrizione generale

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC PACKAGE-2

Caratteristiche principali

High Output Power: P1dB = 42.5dBm (Typ.)
High Gain: G1dB = 7.0dB (Typ.)
High PAE: ηadd = 29% (Typ.)
Low IM3 =
[email protected]
= 31.5dBm
Broad Band: 7.7 ~ 8.5GHz
Impedance Matched Zin/Zout = 50Ω
Hermetically Sealed

Specifiche

Part Life Cycle Code	Obsolete	Pin Count	3
Reach Compliance Code		ECCN Code	EAR99
Additional Feature	HIGH RELIABILITY	Case Connection	SOURCE
Configuration	SINGLE	DS Breakdown Voltage-Min	15 V
Drain Current-Max (ID)	1.3 A	FET Technology	JUNCTION
Highest Frequency Band	X BAND	JESD-30 Code	R-CDFM-F2
Number of Elements	1	Number of Terminals	2
Operating Mode	DEPLETION MODE	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	YES
Terminal Form	FLAT	Terminal Position	DUAL
Transistor Element Material	GALLIUM ARSENIDE

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

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[email protected]

Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

Fedex

UPS

DHL

NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..