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FLM0910-8F +BOM

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, CASE IB, 2 PIN

Produttore:

FUJITSU
ProduttorePart #:

FLM0910-8F
Scheda dati:

FLM0910-8F Scheda dati (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Pin Count:

2
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelli:

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

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FLM0910-8F Descrizione generale

RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, CASE IB, 2 PIN

Specifiche

Pbfree Code	Yes	Part Life Cycle Code	Obsolete
Pin Count	2	Reach Compliance Code
ECCN Code	EAR99	Additional Feature	HIGH RELIABILITY
Case Connection	SOURCE	Configuration	SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min	15 V	Drain Current-Max (ID)	2.6 A
FET Technology	JUNCTION	Highest Frequency Band	KU BAND
JESD-30 Code	R-CDFM-F2	Number of Elements	1
Number of Terminals	2	Operating Mode	DEPLETION MODE
Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	YES
Terminal Form	FLAT	Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED	Transistor Application	AMPLIFIER
Transistor Element Material	GALLIUM ARSENIDE

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

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Grammo dei soldi

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Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

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UPS

DHL

NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..