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FLL177ME +BOM

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, CASE ME, 2 PIN

Produttore:

FUJITSU
ProduttorePart #:

FLL177ME
Scheda dati:

FLL177ME Scheda dati (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Transferred
Pin Count:

2
ECCN Code:

EAR99
EDA/CAD Modelli:

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E-mail: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

tel: +852 95804164

FLL177ME Descrizione generale

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, CASE ME, 2 PIN

Caratteristiche principali

High Output Power: P1dB=29.5dBm (Typ.)
High Gain: G1dB=13.5dB (Typ.)
High PAE: ηadd=47% (Typ.)
Proven Reliability
Hermetically Sealed Package

Specifiche

Pbfree Code	Yes	Part Life Cycle Code	Transferred
Pin Count	2	Reach Compliance Code
ECCN Code	EAR99	Additional Feature	HIGH RELIABILITY
Case Connection	SOURCE	Configuration	SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min	15 V	FET Technology	JUNCTION
Highest Frequency Band	L BAND	JESD-30 Code	R-CDFM-F2
Number of Elements	1	Number of Terminals	2
Operating Mode	DEPLETION MODE	Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES	Terminal Form	FLAT
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED
Transistor Application	AMPLIFIER	Transistor Element Material	GALLIUM ARSENIDE

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

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Grammo dei soldi

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Spedizione e imballaggio

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