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FJPF5027RTU +BOM

Bipolar (BJT) Transistor NPN 800 V 3 A 15MHz 40 W Through Hole TO-220F-3

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

FJPF5027RTU
Scheda dati:

FJPF5027RTU Scheda dati (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

800 V
EDA/CAD Modelli:

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FJPF5027RTU Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor NPN 800 V 3 A 15MHz 40 W Through Hole TO-220F-3

Caratteristiche principali

High Speed Switching
Wide SOA

Applicazione

This product is general usage and suitable for many different applications.

Specifiche

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	800 V	Collector- Base Voltage VCBO	1.1 kV
Emitter- Base Voltage VEBO	7 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	2 V
Maximum DC Collector Current	3 A	Pd - Power Dissipation	40 W
Gain Bandwidth Product fT	15 MHz	Minimum Operating Temperature	-
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	FJPF5027
Continuous Collector Current	5 A	DC Collector/Base Gain hfe Min	15
Height	9.19 mm	Length	10.16 mm
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	50
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Width	4.7 mm	Part # Aliases	FJPF5027RTU_NL
Unit Weight	0.080072 oz

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