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Vedi Specifiche Tecniche

FJA4313OTU +BOM

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

FJA4313OTU
Scheda dati:

FJA4313OTU Scheda dati (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

250 V
EDA/CAD Modelli:

Richiedi modelli CAD gratuiti per FJA4313OTU

Caratteristiche principali

High Current Capability: IC = 15 A
High Power Dissipation : 130 watts
High Frequency : 30 MHz
High Voltage : VCEO = 250 V
Wide S.O.A for reliable operation
Excellent Gain Linearity for low THD
Complement to 2SA1962/FJA4213
Thermal and electrical Spice models are available

Applicazione

Perfect for any situation.
Can be used for multiple needs.
Highly adaptable and reliable.

Specifiche

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	250 V	Collector- Base Voltage VCBO	250 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	400 mV
Maximum DC Collector Current	17 A	Pd - Power Dissipation	130 W
Gain Bandwidth Product fT	30 MHz	Minimum Operating Temperature	- 50 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	FJA4313
Continuous Collector Current	15 A	DC Collector/Base Gain hfe Min	55
DC Current Gain hFE Max	160	Height	18.9 mm
Length	15.8 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	30	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	5 mm
Part # Aliases	FJA4313OTU_NL	Unit Weight	0.225789 oz

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