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FJP3305 +BOM

Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 4 A 4MHz 75 W Through Hole TO-220-3

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

FJP3305
Scheda dati:

FJP3305 Scheda dati (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

400 V
EDA/CAD Modelli:

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FJP3305 Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 4 A 4MHz 75 W Through Hole TO-220-3

Caratteristiche principali

High Voltage Capability
High Speed Switching
Suitable for Electronic Ballast and Switching Regulator

Applicazione

This product is general usage and suitable for many different applications.

Specifiche

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	400 V	Collector- Base Voltage VCBO	700 V
Emitter- Base Voltage VEBO	9 V	Maximum DC Collector Current	4 A
Pd - Power Dissipation	75 W	Gain Bandwidth Product fT	4 MHz
Minimum Operating Temperature	- 65 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min	19	Height	9.4 mm
Length	10.1 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	1200	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	4.7 mm
Part # Aliases	FJP3305_NL	Unit Weight	0.080072 oz

Politiche di servizio e altro

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