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FJP13009H2TU +BOM

High-Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor

Produttore:

ON Semiconductor, LLC
ProduttorePart #:

FJP13009H2TU
Scheda dati:

FJP13009H2TU Scheda dati (PDF)
Case Outline:

340AT
MSL Temp (°C):

0
Container Type:

TUBE
EDA/CAD Modelli:

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FJP13009H2TU Descrizione generale

The FJP13009H2TU transistor is a high performance component designed for demanding high speed switching applications. With a voltage rating of 700 V and a current rating of 12 A, this NPN silicon epitaxial planar transistor offers superior power handling capabilities. The availability of multiple hFE bin classes allows for precise design customization, while the industry standard TO-220 package ensures compatibility with a wide range of electronic designs. Offering both flexibility in design and excellent power dissipation, the FJP13009H2TU transistor is a reliable and efficient choice for engineers and designers seeking optimal performance in their projects

Caratteristiche principali

Smart Charging Control
Auto-Reset Capability
Low-Power Sleep Mode
Quick Recovery Time
Advanced Thermal Management

Applicazione

Must-have for any project

Specifiche

Status	Active	Case Outline	340AT
MSL Temp (°C)	0	Container Type	TUBE

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

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