Questo sito web utilizza i cookie. Utilizzando questo sito, acconsenti all'utilizzo dei cookie. Per ulteriori informazioni, dai un'occhiata al nostro politica sulla riservatezza.

Le immagini servono solo come riferimento,

Vedi Specifiche Tecniche

FJP13007H1TU-F080 +BOM

NPN Silicon Transistor

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

FJP13007H1TU-F080
Scheda dati:

FJP13007H1TU-F080 Scheda dati (PDF)
REACH:

Details
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
EDA/CAD Modelli:

Richiedi modelli CAD gratuiti per FJP13007H1TU-F080

Caratteristiche principali

High Voltage Capability
High Speed Switching
Suitable for Electronic Ballast and Switching Regulator

Applicazione

This product is general usage and suitable for many different applications.

Specifiche

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	REACH	Details
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	NPN
Configuration	Single	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	400 V
Collector- Base Voltage VCBO	700 V	Emitter- Base Voltage VEBO	9 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	3 V	Maximum DC Collector Current	8 A
Pd - Power Dissipation	80 W	Gain Bandwidth Product fT	4 MHz
Minimum Operating Temperature	-	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	FJP13007	DC Collector/Base Gain hfe Min	8 at 2 A, 5 V
DC Current Gain hFE Max	60 at 2 A, 5 V	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	1000	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Part # Aliases	FJP13007H1TU_F080
Unit Weight	0.063493 oz

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:

[email protected]

Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

Fedex

UPS

DHL

NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..