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2N7002PV,115 +BOM

60 V, 350 mA dual N-channel Trench MOSFET

Produttore:

Nexperia
ProduttorePart #:

2N7002PV,115
Scheda dati:

2N7002PV,115 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

2 Channel
EDA/CAD Modelli:

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2N7002PV,115 Descrizione generale

The 2N7002PV,115 is a powerful dual N-channel enhancement mode field-effect transistor designed for high-performance applications. Its ultra small SOT666 surface-mounted device (SMD) plastic package makes it perfect for space-constrained environments where efficiency is key. The transistor utilizes cutting-edge trench MOSFET technology to ensure optimal performance, reliability, and efficiency

Caratteristiche principali

Enhanced security features
Improved data transfer speed
Automatic fault detection and recovery
Simplified user interface design

Applicazione

Robust relay switch
Speedy load driver
Dynamic line switch
Precision circuits

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	2 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Id - Continuous Drain Current	350 mA	Rds On - Drain-Source Resistance	1.6 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.75 V
Qg - Gate Charge	800 pC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	330 mW
Channel Mode	Enhancement	Qualification	AEC-Q101
Product Type	MOSFET	Factory Pack Quantity	4000
Subcategory	MOSFETs	Part # Aliases	934064136115
Unit Weight	0.000099 oz	Configuration	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate	Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	350mA	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 10V	Power - Max	330mW
Operating Temperature	150°C (TJ)	Grade	Automotive
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	2N7002

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