Questo sito web utilizza i cookie. Utilizzando questo sito, acconsenti all'utilizzo dei cookie. Per ulteriori informazioni, dai un'occhiata al nostro politica sulla riservatezza.

Le immagini servono solo come riferimento,

Vedi Specifiche Tecniche

2N7002PS,115 +BOM

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 60V 0.32A 6-Pin SOT-363 T/R

Produttore:

Nexperia
ProduttorePart #:

2N7002PS,115
Scheda dati:

2N7002PS,115 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

2 Channel
EDA/CAD Modelli:

Richiedi modelli CAD gratuiti per 2N7002PS,115

2N7002PS,115 Descrizione generale

For applications requiring a reliable and efficient N-channel MOSFET, the 2N7002PS,115 offers a range of features that make it a versatile choice. With a continuous drain current of 320mA and a drain source voltage of 60V, this transistor can handle a variety of load conditions. The on resistance of 1ohm and threshold voltage of 1.75V ensure low power losses and precise control over switching operations, while the 320mW power dissipation rating allows for stable performance under normal operating conditions. The SOT-363 case style with 6 pins makes it easy to integrate into existing circuit designs, while the wide operating temperature range of -55°C to +150°C ensures reliable operation in harsh environments. Whether used in single or dual module configurations, this MOSFET provides consistent performance and efficient power management for a range of applications

Caratteristiche principali

Logic-level compatible
Very fast switching
Trench MOSFET technology
AEC-Q101 qualified

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	2 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Id - Continuous Drain Current	320 mA	Rds On - Drain-Source Resistance	1 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.1 V
Qg - Gate Charge	800 pC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	280 mW
Channel Mode	Enhancement	Product Type	MOSFET
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Part # Aliases	934064134115	Unit Weight	0.000265 oz
Configuration	2 N-Channel (Dual)	FET Feature	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	320mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.6Ohm @ 500mA, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.8nC @ 4.5V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 10V
Power - Max	420mW	Operating Temperature	150°C (TJ)
Grade	Automotive	Qualification	AEC-Q100
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	2N7002

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:

[email protected]

Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

Fedex

UPS

DHL

NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..