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2N7002DW +BOM

High-performance dual MOSFET

Produttore:

Infineon
ProduttorePart #:

2N7002DW
Scheda dati:

2N7002DW Scheda dati (PDF)
IDpuls Max:

1.2 A
VGS(th) Max:

2.5 V
VGS(th) Min:

1.5 V
RthJA Max:

250.0 K/W
EDA/CAD Modelli:

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2N7002DW Descrizione generale

When it comes to quality and performance, Infineon technologies sets the standard with the 2N7002DW MOSFET. A perfect choice for automotive and industrial applications, this product delivers exceptional reliability and durability. With a broad portfolio of N and P-Channel Small Signal MOSFETs, Infineon technologies offers manufacturers the flexibility they need to meet the demands of their customers. Whether it's for LED Lighting, ADAS, body control units, SMPS, or Motor Control, the 2N7002DW is the ideal choice for high-quality, high-performance applications

Caratteristiche principali

Fast Acting Thyristor
High Current Capability
Low Volumetric Efficiency
Pulse Width Modulation
Rapid Temperature Response
Soft Start Functionality

Applicazione

DC-DC converters
Signal amplification

Specifiche

IDpuls max	1.2 A	VGS(th) max	2.5 V
VGS(th) min	1.5 V	RthJA max	250.0 K/W
Ptot max	0.5 W	VDS max	60.0 V
RDS (on) max	3000.0 mΩ	ID max	0.3 A
Operating Temperature min	-55.0 °C	Operating Temperature max	150.0 °C
Polarity	N+N	Special Features	Dual

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