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2N7002CK,215 +BOM

Single N-Channel 60 V 1.6 Ohm 1.3 nC 350 mW Silicon SMT Mosfet - SOT-23

Produttore:

Nexperia
ProduttorePart #:

2N7002CK,215
Scheda dati:

2N7002CK,215 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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2N7002CK,215 Descrizione generale

The compact TO-236AB-3 package of the 2N7002CK,215 makes it easy to integrate into existing circuit designs, saving valuable board space and simplifying assembly. Its high drain source voltage tolerance and low threshold voltage ensure reliable operation even in demanding operating conditions. This MOSFET is a versatile component that offers excellent switching characteristics and low power dissipation for enhanced energy efficiency

Caratteristiche principali

Logic-level compatible
Very fast switching
Trench MOSFET technology
ESD protection up to 3 kV

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Id - Continuous Drain Current	300 mA	Rds On - Drain-Source Resistance	1.6 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1 V
Qg - Gate Charge	1.3 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	350 mW
Channel Mode	Enhancement	Qualification	AEC-Q101
Product Type	MOSFET	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Part # Aliases	934063611215
Unit Weight	0.000282 oz	Series	TrenchMOS™
FET Type	N-Channel	Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	300mA (Ta)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.6Ohm @ 500mA, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.3 nC @ 4.5 V	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	55 pF @ 25 V	Power Dissipation (Max)	350mW (Ta)
Operating Temperature	150°C (TJ)	Grade	Automotive
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	2N7002

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