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2N7002AQ-7 +BOM

3-pin SOT-23 packaged N-channel MOSFET transistor engineered for automotive use

2N7002AQ-7 Descrizione generale

N-Channel 60 V 180mA (Ta) 370mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

DIODES INC inventario

Caratteristiche principali

  • Low On-Resistance
  • Low Gate Threshold Voltage
  • Low Input Capacitance
  • Fast Switching Speed
  • Small Surface Mount Package
  • ESD Protected Gate, 1.2kV HBM
  • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
  • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
  • Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
  • PPAP Capable (Note 4)
DIODES INC Stock originale

Applicazione

SWITCHING
DIODES INC inventario

Specifiche

Part Life Cycle Code Active Reach Compliance Code compliant
ECCN Code EAR99 Factory Lead Time 84 Weeks
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE DS Breakdown Voltage-Min 60 V
Drain Current-Max (ID) 0.18 A Drain-source On Resistance-Max 6 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR Feedback Cap-Max (Crss) 1.4 pF
JESD-30 Code R-PDSO-G3 JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level 1 Number of Elements 1
Number of Terminals 3 Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 °C Operating Temperature-Min -55 °C
Peak Reflow Temperature (Cel) 260 Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 0.54 W Reference Standard AEC-Q101
Surface Mount YES Terminal Finish MATTE TIN
Terminal Form GULL WING Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30 Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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