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2N7002A-7 +BOM

This MOSFET has a low threshold voltage of 2V at a very low current of 250uA, making it suitable for low power applications

2N7002A-7 Descrizione generale

N-Channel 60 V 180mA (Ta) 370mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Caratteristiche principali

HIGH RELIABILITY

Applicazione

SWITCHING

Specifiche

Pbfree Code Yes Part Life Cycle Code Active
Pin Count 3 Reach Compliance Code compliant
ECCN Code EAR99 Factory Lead Time 84 Weeks
Additional Feature HIGH RELIABILITY Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 60 V Drain Current-Max (ID) 0.115 A
Drain-source On Resistance-Max 6 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PDSO-G3 JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level 1 Number of Elements 1
Number of Terminals 3 Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 °C Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Power Dissipation-Max (Abs) 0.25 W
Qualification Status Not Qualified Surface Mount YES
Terminal Finish MATTE TIN Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30
Transistor Application SWITCHING Transistor Element Material SILICON

Politiche di servizio e altro

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