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2N7002/HAMR +BOM

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using Trench MOSFET technology.

Produttore:

NEXPERIA
ProduttorePart #:

2N7002/HAMR
Scheda dati:

2N7002/HAMR Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Pin Count:

3
Reach Compliance Code:

compliant
Configuration:

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
EDA/CAD Modelli:

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2N7002/HAMR Descrizione generale

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using Trench MOSFET technology.

Caratteristiche principali

Suitable for high-speed applications
Fast response time
Low power consumption
Small size package

Applicazione

Temperature sensors with digital output

Specifiche

Source Content uid	2N7002/HAMR	Part Life Cycle Code	Active
Pin Count	3	Reach Compliance Code	compliant
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	60 V
Drain Current-Max (ID)	0.3 A	Drain-source On Resistance-Max	5 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	Feedback Cap-Max (Crss)	10 pF
JEDEC-95 Code	TO-236AB	JESD-30 Code	R-PDSO-G3
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Operating Temperature-Min	-65 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	0.83 W
Reference Standard	IEC-60134	Surface Mount	YES
Terminal Finish	TIN	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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