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2N7000KL-TR1-E3 +BOM

Electronic component capable of handling up to 60 volts and 0.47 amperes

Produttore:

vishay
ProduttorePart #:

2N7000KL-TR1-E3
Scheda dati:

2N7000KL-TR1-E3 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Height:

4.6 mm
Length:

4.6 mm
EDA/CAD Modelli:

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2N7000KL-TR1-E3 Descrizione generale

MOSFET, N, TO-92; Transistor Polarity:N; Max Voltage Vds:60V; On State Resistance:2ohm; Power Dissipation:0.8W; Transistor Case Style:TO-92; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC; Case Style:TO-92; Cont Current Id:0.47A; Current Temperature:25°C; Device Marking:2N7000KL; Full Power Rating Temperature:25°C; Lead Spacing:2.54mm; No. of Transistors:1; Power Dissipation Pd:0.8W; Pulse Current Idm:1A; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:MOSFET; Typ Voltage Vds:60V; Typ Voltage Vgs th:2.5V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Caratteristiche principali

TrenchFET® Power MOSFET
ESD Protected: 2000 V

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Height	4.6 mm
Length	4.6 mm	Product Type	MOSFET
Factory Pack Quantity	2000	Subcategory	MOSFETs
Width	3.6 mm	Unit Weight	0.016000 oz

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