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2N3055H +BOM

Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 15 A 2.5MHz 115 W Through Hole TO-204 (TO-3)

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

2N3055H
Scheda dati:

2N3055H Scheda dati (PDF)
Pbfree Code:

No
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Pin Count:

2
Reach Compliance Code:

not_compliant
EDA/CAD Modelli:

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2N3055H Descrizione generale

The PNP Bipolar Power Transistor is designed for use in high power amplifier and switching amplifier applications. The 2N3055 (NPN) and MJ2955 (PNP)are complementary devices.

Caratteristiche principali

DC Current Gain - h_FE = 20-70 @ I_C = 4 Adc
Collector-Emitter Saturation Voltage - V_CE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ I_C = 4 Adc
Excellent Safe Operating Area
Pb-Free Packages are Available

Applicazione

Industrial

Specifiche

Source Content uid	2N3055H	Pbfree Code	No
Part Life Cycle Code	Obsolete	Pin Count	2
Reach Compliance Code	not_compliant	ECCN Code	EAR99
HTS Code	8541.29.00.95	Collector Current-Max (IC)	15 A
Collector-Emitter Voltage-Max	60 V	Configuration	SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE)	20	JEDEC-95 Code	TO-3
JESD-30 Code	O-MBFM-P2	Number of Elements	1
Number of Terminals	2	Polarity/Channel Type	NPN
Power Dissipation Ambient-Max	115 W	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	NO	Terminal Form	PIN/PEG
Terminal Position	BOTTOM	Transistor Element Material	SILICON
Transition Frequency-Nom (fT)	0.8 MHz	VCEsat-Max	1 V

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