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ZVN4206ASTZ +BOM

N-Channel 60 V 600mA (Ta) 700mW (Ta) Through Hole E-Line (TO-92 compatible)

Produttore:

Diodes Incorporated
ProduttorePart #:

ZVN4206ASTZ
Scheda dati:

ZVN4206ASTZ Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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ZVN4206ASTZ Descrizione generale

N-Channel 60 V 600mA (Ta) 700mW (Ta) Through Hole E-Line (TO-92 compatible)

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Id - Continuous Drain Current	600 mA	Rds On - Drain-Source Resistance	1.5 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V
Qg - Gate Charge	-	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	700 mW
Channel Mode	Enhancement	Series	ZVN4206
Configuration	Single	Fall Time	12 ns
Height	4.01 mm	Length	4.77 mm
Product	MOSFET Small Signals	Product Type	MOSFET
Rise Time	12 ns	Factory Pack Quantity	2000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Type	FET	Typical Turn-Off Delay Time	12 ns
Typical Turn-On Delay Time	8 ns	Width	2.41 mm
Unit Weight	0.016000 oz

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