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ZVN2110A +BOM

Vertical DMOS FET Operating in N-Channel Enhancement Mode

  • Produttore:

    Diodes Incorporated

  • ProduttorePart #:

    ZVN2110A

  • Scheda dati:

    ZVN2110A Scheda dati (PDF) pdf-icon

  • Technology:

    Si

  • Mounting Style:

    Through Hole

  • Transistor Polarity:

    N-Channel

  • Number Of Channels:

    1 Channel

ZVN2110A Descrizione generale

With a single element design, the ZVN2110A offers reliable performance in a compact package. Its N-channel configuration allows for efficient switching and amplification of signals in various applications. The silicon material used in its construction ensures durability and stability under different operating conditions

Caratteristiche principali

  • 100 Volt VDS
  • RDS(on)= 4Ω

Specifiche

Product Category MOSFET Technology Si
Mounting Style Through Hole Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 100 V
Id - Continuous Drain Current 320 mA Rds On - Drain-Source Resistance 4 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 800 mV
Qg - Gate Charge - Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 700 mW
Channel Mode Enhancement Series ZVN2110
Configuration Single Fall Time 13 ns
Forward Transconductance - Min 250 mS Height 4.01 mm
Length 4.77 mm Product MOSFET Small Signals
Product Type MOSFET Rise Time 8 ns
Factory Pack Quantity 4000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Type FET
Typical Turn-Off Delay Time 13 ns Typical Turn-On Delay Time 7 ns
Width 2.41 mm Unit Weight 0.016000 oz

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