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ZVP2110A +BOM

P-channel MOSFET ZVP2110A with E-line package

ZVP2110A Descrizione generale

Furthermore, this transistor has a maximum pulse current of 3A and operates at a current temperature of 25°C. The package is Through Hole termination type, providing a secure connection in circuit assemblies. The voltage specifications include a typical drain-source voltage of -100V, a maximum gate-source voltage of -3.5V, and a gate-source voltage for Rds on measurement of -10V

Caratteristiche principali

  • 100 Volt VDS
  • RDS(on)=8Ω

Applicazione

SWITCHING

Specifiche

Pbfree Code Yes Part Life Cycle Code Active
Pin Count 3 Reach Compliance Code compliant
ECCN Code EAR99 Factory Lead Time 78 Weeks
Configuration SINGLE DS Breakdown Voltage-Min 100 V
Drain Current-Max (ID) 0.23 A Drain-source On Resistance-Max 8 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR Feedback Cap-Max (Crss) 10 pF
JESD-30 Code O-PBCY-W3 JESD-609 Code e3
Number of Elements 1 Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 150 °C
Peak Reflow Temperature (Cel) 260 Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 0.7 W Qualification Status Not Qualified
Reference Standard CECC Surface Mount NO
Terminal Finish MATTE TIN Terminal Form WIRE
Terminal Position BOTTOM Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30
Transistor Application SWITCHING Transistor Element Material SILICON

Politiche di servizio e altro

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