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UJ4SC075011B7S +BOM

High-performance power electronic component for demanding applications

Produttore:

Qorvo
ProduttorePart #:

UJ4SC075011B7S
Scheda dati:

UJ4SC075011B7S Scheda dati (PDF)
Technology:

SiC
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:

750 V
EDA/CAD Modelli:

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UJ4SC075011B7S Descrizione generale

N-Channel 750 V 104A (Tc) 357W (Tc) Surface Mount D2PAK-7

Specifiche

Product Category	JFET	Technology	SiC
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	750 V	Id - Continuous Drain Current	104 A
Rds On - Drain-Source Resistance	11 mOhms	Pd - Power Dissipation	357 W
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 175 C
Product Type	JFETs	Factory Pack Quantity	800
Subcategory	Transistors

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