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UJ4SC075005L8S +BOM

MOSFET with 1200V voltage and 400mO resistance, made with SICFET technology in G3 package with TO263-7 configuration

Produttore:

Qorvo
ProduttorePart #:

UJ4SC075005L8S
Scheda dati:

UJ4SC075005L8S Scheda dati (PDF)
Technology:

SiC
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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UJ4SC075005L8S Descrizione generale

N-Channel 750 V 120A (Tc) 1.153kW (Tc) Surface Mount TOLL

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	SiC
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	750 V
Id - Continuous Drain Current	120 A	Rds On - Drain-Source Resistance	5 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	6 V
Qg - Gate Charge	164 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Pd - Power Dissipation	1.153 kW
Channel Mode	Enhancement	Product Type	MOSFET
Subcategory	MOSFETs

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