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UF3SC065007K4S +BOM

Characteristics: Suitable for applications requiring high power efficiency and reliability

Produttore:

Qorvo
ProduttorePart #:

UF3SC065007K4S
Scheda dati:

UF3SC065007K4S Scheda dati (PDF)
Technology:

SiC
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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UF3SC065007K4S Descrizione generale

N-Channel 650 V 120A (Tc) 789W (Tc) Through Hole TO-247-4

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	SiC
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	650 V
Id - Continuous Drain Current	120 A	Rds On - Drain-Source Resistance	9 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 12 V, + 12 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	6 V
Qg - Gate Charge	214 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Pd - Power Dissipation	789 W
Channel Mode	Enhancement	Qualification	AEC-Q101
Tradename	SiC FET	Series	UF3SC
Configuration	Single	Fall Time	14 ns
Product Type	MOSFET	Rise Time	46 ns
Factory Pack Quantity	30	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 - N Channel	Typical Turn-Off Delay Time	72 ns
Typical Turn-On Delay Time	36 ns	Unit Weight	0.211644 oz

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