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TO-247-3 P-Channel Power Transistor
TO-247-3Produttore:
ProduttorePart #:
UJ3C120150K3S
Scheda dati:
Technology:
SiC
Mounting Style:
Through Hole
Transistor Polarity:
N-Channel
Number Of Channels:
1 Channel
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N-Channel 1200 V 18.4A (Tc) 166.7W (Tc) Through Hole TO-247-3
Product Category | MOSFET | Technology | SiC |
Mounting Style | Through Hole | Transistor Polarity | N-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 1.2 kV |
Id - Continuous Drain Current | 18.4 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 180 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 25 V, + 25 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3.5 V |
Qg - Gate Charge | 30 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 175 C | Pd - Power Dissipation | 166.7 W |
Channel Mode | Enhancement | Qualification | AEC-Q101 |
Tradename | SiC FET | Series | UJ3C |
Configuration | Single | Fall Time | 7 ns |
Product Type | MOSFET | Rise Time | 10 ns |
Factory Pack Quantity | 30 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 36 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 21 ns | Unit Weight | 0.211644 oz |
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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I prezzi sottostanti sono solo di riferimento.
UJ4C075018K4S
Qorvo
750V, 18mOhm, 81A, SiC FET, CASCODE, G4, TO-247-4L, AEC-Q101, 175 Deg C
UJ4SC075006K4S
Qorvo
SICFET 750V/6mΩ Junction Field-Effect Transistor G4 Package
UF3SC120009K4S
QORVO
1200V SiC FET featuring an On-Resistance of 8.6 milliohms
UF3SC065007K4S
Qorvo
Characteristics: Suitable for applications requiring high power efficiency and reliability
UJ4C075018K3S
Qorvo
ROHS compliant 12V and 6V MOSFETs