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Silicon Carbide Field-Effect Transistor with 750 volts and 60 milliohms resistance, TO263-7 package
D2PAK-7Produttore:
ProduttorePart #:
UJ4C075060B7S
Scheda dati:
Technology:
SiC
Mounting Style:
SMD/SMT
Transistor Polarity:
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:
750 V
EDA/CAD Modelli:
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The model number UJ4C075060B7S acts as a precise identifier for a specific product, most likely falling within the category of electronic or mechanical components. With the manufacturer or brand indicated by the initials "UJ," the alphanumeric code "4C075060" possibly conveys essential information relating to the product's unique features, dimensions, and technical specifications. Furthermore, the concluding characters "B7S" may encompass supplementary details pertaining to the product's color variant, material composition, or version. For a thorough comprehension of the product and its potential applications, it is suggested to peruse the official documentation provided by the manufacturer or engage in direct communication with their customer support team for comprehensive elucidation
Product Category | JFET | Technology | SiC |
Mounting Style | SMD/SMT | Transistor Polarity | N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 750 V | Id - Continuous Drain Current | 25.8 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 58 mOhms | Pd - Power Dissipation | 128 W |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 175 C |
Product Type | JFETs | Factory Pack Quantity | 800 |
Subcategory | Transistors |
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
---|---|---|
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UJ4C075018K4S
Qorvo
750V, 18mOhm, 81A, SiC FET, CASCODE, G4, TO-247-4L, AEC-Q101, 175 Deg C
UJ4SC075006K4S
Qorvo
SICFET 750V/6mΩ Junction Field-Effect Transistor G4 Package
UF3SC120009K4S
QORVO
1200V SiC FET featuring an On-Resistance of 8.6 milliohms
UF3SC065007K4S
Qorvo
Characteristics: Suitable for applications requiring high power efficiency and reliability
UJ4C075018K3S
Qorvo
ROHS compliant 12V and 6V MOSFETs