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NDS356AP +BOM

-30V P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

NDS356AP Descrizione generale

Whether you're designing a portable electronic device or a control circuit for an industrial application, the NDS356AP MOSFET transistor provides a reliable and efficient solution. Its compact size, high current and voltage ratings, and low on-resistance make it an excellent choice for power switching and regulation. With a power dissipation rating of 500mW and a maximum operating temperature of 25°C, it can handle moderate power loads without overheating. The SOT-23 package and SMD termination make it easy to integrate into your design, while the 3-pin configuration ensures compatibility with standard PCB layouts

Caratteristiche principali

  • -5A, -50V
  • Low VGS
  • rDS(ON) = 0.05 Ω @ -10V
  • Superior Thermal Performance
  • Robust and Reliable Operation
  • -3A, -30V with High Immunity

Applicazione

  • Great for all your needs
  • Versatile and effective
  • Perfect for everyday use

Specifiche

Pbfree Code Yes Part Life Cycle Code Active
Pin Count 3 Reach Compliance Code
Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 30 V Drain Current-Max (ID) 1.1 A
Drain-source On Resistance-Max 0.2 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PDSO-G3 JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level 1 Number of Elements 1
Number of Terminals 3 Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Peak Reflow Temperature (Cel) 260 Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Qualification Status COMMERCIAL Surface Mount YES
Terminal Finish MATTE TIN Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30
Transistor Application SWITCHING Transistor Element Material SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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