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NDS0610 +BOM

Field Effect Transistor in P-Channel Enhancement Mode, featuring -60V voltage, -0.12A current, and 10Ω impedance

Produttore:

Onsemi
ProduttorePart #:

NDS0610
Scheda dati:

NDS0610 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

P-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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NDS0610 Descrizione generale

This P-Channel enhancement mode field effect transistors is produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching. The NDS0610 can be used, with a minimum of effort, in most applications requiring up to 120mA DC and can deliver current up to 1A. This product is particularly suited to low voltage applications requiring a low current high side switch.

Caratteristiche principali

Pulse-width modulated driver
Low noise amplification
Compact 5-pin SOIC package
Wide operating temperature range
High accuracy current sensing

Applicazione

Useful in many different ways.
Essential for everyday tasks.
Convenient and easy to use.

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Id - Continuous Drain Current	120 mA	Rds On - Drain-Source Resistance	10 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3.5 V
Qg - Gate Charge	2.5 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	360 mW
Channel Mode	Enhancement	Series	NDS0610
Configuration	Single	Fall Time	6.3 ns
Height	1.2 mm	Length	2.9 mm
Product	MOSFET Small Signals	Product Type	MOSFET
Rise Time	6.3 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	10 ns	Typical Turn-On Delay Time	2.5 ns
Width	1.3 mm	Part # Aliases	NDS0610_NL
Unit Weight	0.000282 oz

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O**a 06/29/2024

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M**n 04/21/2021

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A**e 12/04/2020

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S**l 04/11/2020

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