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NDD05N50ZT4G +BOM
Power MOSFET 500V 4.7A 1.5 Ohm Single N-Channel DPAK
DPAK-3-
Produttore:
-
ProduttorePart #:
NDD05N50ZT4G
-
Scheda dati:
-
FET Type:
N-Channel
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Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
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Drain To Source Voltage (Vdss):
500 V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
4.7A (Tc)
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EDA/CAD Modelli:
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NDD05N50ZT4G Descrizione generale
Power MOSFET 500V 1.5 Ohm Single N-Channel
Caratteristiche principali
- High-reliability Packaging
- Fault-tolerant Operation in Parallel
- Low-voltage Detection
- High-temperature Operation in Parallel
Applicazione
- Wireless Mouse Receiver
- Bluetooth Dongle
- External Hard Drive
Specifiche
FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.7A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 2.2A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.5 nC @ 10 V |
Vgs (Max) | ±30V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 530 pF @ 25 V |
FET Feature | - | Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
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In Stock: 4.779
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