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NAND256W3A2BZA6E +BOM

High-speed data transfer technology

Produttore:

Micron Technology Inc.
ProduttorePart #:

NAND256W3A2BZA6E
Scheda dati:

NAND256W3A2BZA6E Scheda dati (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Pin Count:

55
Reach Compliance Code:

compliant
EDA/CAD Modelli:

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NAND256W3A2BZA6E Descrizione generale

The NAND256W3A2BZA6E from Micron Technology is a reliable and high-capacity NAND flash memory chip that is perfect for use in various storage devices. With its 256 gigabit storage capacity and 3D NAND architecture, it is ideal for solid-state drives, memory cards, and other storage solutions requiring large capacity

Specifiche

Pbfree Code	Yes	Part Life Cycle Code	Obsolete
Pin Count	55	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	HTS Code	8542.32.00.51
Access Time-Max	35 ns	Command User Interface	YES
Data Polling	NO	JESD-30 Code	R-PBGA-B55
JESD-609 Code	e1	Length	10 mm
Memory Density	268435456 bit	Memory IC Type	FLASH
Memory Width	8	Number of Functions	1
Number of Sectors/Size	2K	Number of Terminals	55
Number of Words	33554432 words	Number of Words Code	32000000
Operating Mode	ASYNCHRONOUS	Operating Temperature-Max	85 °C
Operating Temperature-Min	-40 °C	Organization	32MX8
Page Size	512 words	Parallel/Serial	PARALLEL
Programming Voltage	3 V	Qualification Status	Not Qualified
Ready/Busy	YES	Seated Height-Max	1.05 mm
Sector Size	16K	Standby Current-Max	0.00005 A
Supply Current-Max	0.02 mA	Supply Voltage-Max (Vsup)	3.6 V
Supply Voltage-Min (Vsup)	2.7 V	Supply Voltage-Nom (Vsup)	3 V
Surface Mount	YES	Technology	CMOS
Temperature Grade	INDUSTRIAL	Terminal Finish	TIN SILVER COPPER
Terminal Form	BALL	Terminal Pitch	0.8 mm
Terminal Position	BOTTOM	Toggle Bit	NO
Type	SLC NAND TYPE	Width	8 mm

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