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Vedi Specifiche Tecniche

NAND128W3A2BN6E +BOM

Encased in a TSOP-48 casing

Produttore:

Micron Technology Inc.
ProduttorePart #:

NAND128W3A2BN6E
Scheda dati:

NAND128W3A2BN6E Scheda dati (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Pin Count:

48
Reach Compliance Code:

compliant
EDA/CAD Modelli:

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NAND128W3A2BN6E Descrizione generale

With a maximum sequential read speed of 180 megabytes per second and a maximum sequential write speed of 170 megabytes per second, the NAND128W3A2BN6E offers fast read/write speeds that can significantly enhance performance in data-intensive tasks. Its support for various operating modes, including random read, sequential read, random program/erase, and concurrent random read/program, further enhances its versatility and usability

Specifiche

Pbfree Code	Yes	Part Life Cycle Code	Obsolete
Pin Count	48	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	HTS Code	8542.32.00.51
Access Time-Max	35 ns	Command User Interface	YES
Data Polling	NO	JESD-30 Code	R-PDSO-G48
JESD-609 Code	e4	Length	18.4 mm
Memory Density	134217728 bit	Memory IC Type	FLASH
Memory Width	8	Moisture Sensitivity Level	3
Number of Functions	1	Number of Sectors/Size	1K
Number of Terminals	48	Number of Words	16777216 words
Number of Words Code	16000000	Operating Mode	ASYNCHRONOUS
Operating Temperature-Max	85 °C	Operating Temperature-Min	-40 °C
Organization	16MX8	Page Size	512 words
Parallel/Serial	PARALLEL	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Programming Voltage	3 V	Qualification Status	Not Qualified
Ready/Busy	YES	Seated Height-Max	1.2 mm
Sector Size	16K	Standby Current-Max	0.00005 A
Supply Current-Max	0.02 mA	Supply Voltage-Max (Vsup)	3.6 V
Supply Voltage-Min (Vsup)	2.7 V	Supply Voltage-Nom (Vsup)	3 V
Surface Mount	YES	Technology	CMOS
Temperature Grade	INDUSTRIAL	Terminal Finish	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Terminal Form	GULL WING	Terminal Pitch	0.5 mm
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30
Toggle Bit	NO	Type	SLC NAND TYPE
Width	12 mm

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