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Vedi Specifiche Tecniche

NAND01GW3B2CN6E +BOM

NAND Flash Parallel 1G-bit Memory

Produttore:

Micron Technology Inc.
ProduttorePart #:

NAND01GW3B2CN6E
Scheda dati:

NAND01GW3B2CN6E Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Pin Count:

48
ECCN Code:

EAR99
HTS Code:

8542.32.00.51
EDA/CAD Modelli:

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NAND01GW3B2CN6E Descrizione generale

FLASH - NAND Memory IC 1Gbit Parallel 25 ns 48-TSOP

Specifiche

Part Life Cycle Code	Obsolete	Pin Count	48
Reach Compliance Code		ECCN Code	EAR99
HTS Code	8542.32.00.51	Access Time-Max	25000 ns
Command User Interface	YES	Data Polling	NO
JESD-30 Code	R-PDSO-G48	JESD-609 Code	e3
Length	18.4 mm	Memory Density	1073741824 bit
Memory IC Type	FLASH	Memory Width	8
Moisture Sensitivity Level	3	Number of Functions	1
Number of Sectors/Size	1K	Number of Terminals	48
Number of Words	134217728 words	Number of Words Code	128000000
Operating Mode	ASYNCHRONOUS	Operating Temperature-Max	85 °C
Operating Temperature-Min	-40 °C	Organization	128MX8
Page Size	2K words	Parallel/Serial	PARALLEL
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Programming Voltage	3 V
Qualification Status	Not Qualified	Ready/Busy	YES
Seated Height-Max	1.2 mm	Sector Size	128K
Standby Current-Max	0.00005 A	Supply Current-Max	0.03 mA
Supply Voltage-Max (Vsup)	3.6 V	Supply Voltage-Min (Vsup)	2.7 V
Supply Voltage-Nom (Vsup)	3 V	Surface Mount	YES
Technology	CMOS	Temperature Grade	INDUSTRIAL
Terminal Finish	Matte Tin (Sn)	Terminal Form	GULL WING
Terminal Pitch	0.5 mm	Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30	Toggle Bit	NO
Type	SLC NAND TYPE	Width	12 mm
Write Cycle Time-Max (tWC)	25 ms

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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