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MDU1514URH +BOM

Silicon-based N-Channel Power FET rated at 66.3A Drain Current, 30V Voltage, and 0.006ohm On-Resistance, packaged in DFN56 with 8 pins

Produttore:

MAGNACHIP SEMICONDUCTOR LTD
ProduttorePart #:

MDU1514URH
Scheda dati:

MDU1514URH Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
ECCN Code:

EAR99
Avalanche Energy Rating (Eas):

79 mJ
Case Connection:

DRAIN
EDA/CAD Modelli:

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Caratteristiche principali

Power Factor Correction (PFC) Meets EN61000-3-2
Low Profile Height Fits 1U Constraints
Dual Main Outputs Provide 3.3V and 5V for Mixed Mode Applications
Single Wire Current Sense on Outputs V1 and V2
Remote Sense on Outputs V1 and V2
Overtemperature, Overload, and Overvoltage Protection
Available with Metric or SAE Mountings
Greater than 340,000 Hours MTBF
MDU150 Models have 48VDC Input

Specifiche

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code
ECCN Code	EAR99	Avalanche Energy Rating (Eas)	79 mJ
Case Connection	DRAIN	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	30 V	Drain Current-Max (ID)	66.3 A
Drain-source On Resistance-Max	0.006 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code	R-PDSO-F5	Number of Elements	1
Number of Terminals	5	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Min	-55 °C	Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	100 A
Surface Mount	YES	Terminal Form	FLAT
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

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