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MD2009DFX +BOM

Bipolar (BJT) Transistor NPN 700 V 10 A 58 W Through Hole TO-3PF

Produttore:

STMicroelectronics
ProduttorePart #:

MD2009DFX
Scheda dati:

MD2009DFX Scheda dati (PDF)
Configuration:

Single
Transistor Polarity:

NPN
Mounting Style:

Through Hole
DC Collector/Base Gain Hfe Min:

5
EDA/CAD Modelli:

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MD2009DFX Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor NPN 700 V 10 A 58 W Through Hole TO-3PF

Caratteristiche principali

State-of-the-art technology:

diffused collector enhanced generation

More stable performance versus operating

temperature variation

Low base drive requirement

Tighter hFE range at operating collector current

Fully insulated power package U.L. compliant

Integrated free wheeling diode

In compliance with the 2002/93/EC European

directive

Applicazione

Horizontal deflection output for TV

Specifiche

Product Category	Bipolar Transistors - Pre-Biased	Configuration	Single
Transistor Polarity	NPN	Mounting Style	Through Hole
DC Collector/Base Gain hfe Min	5	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	700 V
Continuous Collector Current	10 A	Peak DC Collector Current	16 A
Pd - Power Dissipation	58 W	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	MD2009DFX
Emitter- Base Voltage VEBO	7 V	Height	16.5 mm
Length	15.7 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Factory Pack Quantity	30	Subcategory	Transistors
Width	5.7 mm	Unit Weight	0.245577 oz

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..