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Bipolar (BJT) Transistor NPN 700 V 10 A 40 W Through Hole TO-220 Full Pack
TO-220-3FullPackProduttore:
STMicroelectronics
ProduttorePart #:
MD2009DFP
Scheda dati:
Transistor Type:
NPN
Current - Collector (Ic) (Max):
10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):
700 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:
2.8V @ 1.4A, 5.5A
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 700 V 10 A 40 W Through Hole TO-220 Full Pack
Series | - | Transistor Type | NPN |
Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 700 V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2.8V @ 1.4A, 5.5A | Current - Collector Cutoff (Max) | 200µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 5 @ 5.5A, 5V | Power - Max | 40 W |
Frequency - Transition | - | Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole | Base Product Number | MD2009 |
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