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MD1803DFP +BOM

Bipolar (BJT) Transistor NPN 700 V 10 A 40 W Through Hole TO-220FP

Produttore:

STMicroelectronics
ProduttorePart #:

MD1803DFP
Scheda dati:

MD1803DFP Scheda dati (PDF)
Configuration:

Single
Transistor Polarity:

NPN
Mounting Style:

Through Hole
DC Collector/Base Gain Hfe Min:

5
EDA/CAD Modelli:

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MD1803DFP Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor NPN 700 V 10 A 40 W Through Hole TO-220FP

Caratteristiche principali

State-of-the-art technology:

Diffused collector enhanced generation

Stable performance versus operating temperature variation

Low base drive requirement

Tight hFE range at operating collector current

Fully insulated power package UL compliant

Integrated free wheeling diode

Applicazione

SWITCHING

Specifiche

Product Category	Bipolar Transistors - Pre-Biased	Configuration	Single
Transistor Polarity	NPN	Mounting Style	Through Hole
DC Collector/Base Gain hfe Min	5	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	700 V
Continuous Collector Current	10 A	Peak DC Collector Current	15 A
Pd - Power Dissipation	40 W	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	MD1803DFP
Emitter- Base Voltage VEBO	10 V	Height	9.3 mm
Length	10.4 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Factory Pack Quantity	1000	Subcategory	Transistors
Width	4.6 mm	Unit Weight	0.081130 oz

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

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Spedizione e imballaggio

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