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IXYN100N65C3H1 +BOM

The IXYN100N65C3H1 module houses a single IGBT transistor capable of withstanding voltages up to 650V and currents up to 90A

Produttore:

IXYS
ProduttorePart #:

IXYN100N65C3H1
Scheda dati:

IXYN100N65C3H1 Scheda dati (PDF)
Series:

XPT™, GenX3™
IGBT Type:

PT
Configuration:

Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

650 V
EDA/CAD Modelli:

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IXYN100N65C3H1 Descrizione generale

IGBT Module PT Single 650 V 166 A 600 W Chassis, Stud Mount SOT-227B

Specifiche

Series	XPT™, GenX3™	IGBT Type	PT
Configuration	Single	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	650 V
Current - Collector (Ic) (Max)	166 A	Power - Max	600 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.3V @ 15V, 70A	Current - Collector Cutoff (Max)	50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce	4.98 nF @ 25 V	Input	Standard
NTC Thermistor	No	Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Chassis, Stud Mount	Base Product Number	IXYN100

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