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IGBT 3600 V 70 A 430 W Surface Mount TO-268AA
TO-268-3,D³Pak(2Leads+Tab),TO-268AAProduttore:
ProduttorePart #:
IXBT20N360HV
Scheda dati:
Series:
BIMOSFET™
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):
3600 V
Current - Collector (Ic) (Max):
70 A
Current - Collector Pulsed (Icm):
220 A
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BiMOSFETs are devices, which have combined strengths of MOSFETs and IGBTs. Non-epitaxial construction and new fabrication processes were used in making BiMOSFETs a great success.These high voltage devices are ideal for parallel operation due to the positive voltage temperature coefficient of both of its saturation voltage, and the forward voltage drop of its intrinsic diode. Furthermore, this “free” intrinsic body diode serves as a protection diode, providing an alternative path for the inductive load current during device turn-off, preventing high Ldi/dt voltage transients from inflicting damage to the device.
Series | BIMOSFET™ | IGBT Type | - |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 3600 V | Current - Collector (Ic) (Max) | 70 A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 220 A | Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.4V @ 15V, 20A |
Power - Max | 430 W | Switching Energy | 15.5mJ (on), 4.3mJ (off) |
Input Type | Standard | Gate Charge | 110 nC |
Td (on/off) @ 25°C | 18ns/238ns | Test Condition | 1500V, 20A, 10Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | 1.7 µs | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Base Product Number | IXBT20 |
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Prodotto 365 giorni
Qualità garantita
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
---|---|---|
1+ | $186,147 | $186,15 |
210+ | $74,274 | $15.597,54 |
510+ | $71,793 | $36.614,43 |
990+ | $70,566 | $69.860,34 |
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