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IXBH5N160G +BOM
N-Channel 1600V 5.7A
TO-247-3-
Produttore:
-
ProduttorePart #:
IXBH5N160G
-
Scheda dati:
-
Series:
BIMOSFET™
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):
1600 V
-
Current - Collector (Ic) (Max):
5.7 A
-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic:
7.2V @ 15V, 3A
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EDA/CAD Modelli:
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Disponibilità: 9913 PZ
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IXBH5N160G Descrizione generale
The IXBH5N160G BiMOSFET is a cutting-edge device that combines the best features of MOSFETs and IGBTs. By utilizing non-epitaxial construction and innovative fabrication methods, these high voltage devices have proven to be reliable and efficient in various applications. One notable advantage of BiMOSFETs is their ability to operate in parallel, thanks to the favorable voltage temperature coefficient of both the saturation voltage and the forward voltage drop of the intrinsic diode. This unique feature allows for enhanced performance and increased protection during operation
Caratteristiche principali
- Maintenance-free operation guaranteed
- Low power consumption for reduced costs
- Silicon-based design for high reliability
Applicazione
- Aviation technology
- Military applications
- Space exploration
Specifiche
Series | BIMOSFET™ | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1600 V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 5.7 A | Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 7.2V @ 15V, 3A |
Power - Max | 68 W | Input Type | Standard |
Gate Charge | 26 nC | Test Condition | 960V, 3A, 47Ohm, 10V |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Through Hole |
Base Product Number | IXBH5N160 |
Politiche di servizio e altro
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Prodotto 365 giorni
Qualità garantita
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In Stock: 9.913
Minimum Order: 1
Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
---|---|---|
1+ | $4,969 | $4,97 |
10+ | $4,754 | $47,54 |
30+ | $4,624 | $138,72 |
90+ | $4,514 | $406,26 |
I prezzi sottostanti sono solo di riferimento.