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IXBH12N300 +BOM

IXBH12N300 is a high-power IGBT chip for industrial applications

Produttore:

IXYS
ProduttorePart #:

IXBH12N300
Scheda dati:

IXBH12N300 Scheda dati (PDF)
Series:

BIMOSFET™
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

3000 V
Current - Collector (Ic) (Max):

30 A
Current - Collector Pulsed (Icm):

100 A
EDA/CAD Modelli:

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IXBH12N300 Descrizione generale

One key feature of the IXBH12N300 BiMOSFET is its ability to be used in parallel operations, thanks to the positive voltage temperature coefficient of its saturation voltage and forward voltage drop of its intrinsic diode. This unique characteristic makes it an ideal choice for demanding applications that require reliable and efficient power management

Caratteristiche principali

Efficient heat dissipation
Low noise operation
Rapid transient response
Compact footprint

Applicazione

Advanced power solutions
UPS for critical systems
X-ray generation

Specifiche

Series	BIMOSFET™	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	3000 V
Current - Collector (Ic) (Max)	30 A	Current - Collector Pulsed (Icm)	100 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	3.2V @ 15V, 12A	Power - Max	160 W
Input Type	Standard	Gate Charge	62 nC
Reverse Recovery Time (trr)	1.4 µs	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Base Product Number	IXBH12

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