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IXBA16N170AHV +BOM

50W 16A 1.7kV TO-263 IGBTs

Produttore:

IXYS
ProduttorePart #:

IXBA16N170AHV
Scheda dati:

IXBA16N170AHV Scheda dati (PDF)
Series:

BIMOSFET™
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

1700 V
Current - Collector (Ic) (Max):

16 A
Current - Collector Pulsed (Icm):

40 A
EDA/CAD Modelli:

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IXBA16N170AHV Descrizione generale

Additionally, the built-in intrinsic body diode acts as a protective measure, creating an alternative path for inductive load current during device turn-off. This effectively prevents high voltage transients caused by high Ldi/dt from causing damage to the device, ensuring long-term durability and stability in operation

Caratteristiche principali

Larger current handling capabilities
Faster rise and fall times
Higher surge immunity ratings
Easier thermal management
Simplified system design process

Applicazione

Advanced radar technology
High voltage applications
Laser power supplies

Specifiche

Series	BIMOSFET™	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1700 V
Current - Collector (Ic) (Max)	16 A	Current - Collector Pulsed (Icm)	40 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	6V @ 15V, 10A	Power - Max	150 W
Switching Energy	2.5mJ (off)	Input Type	Standard
Gate Charge	65 nC	Td (on/off) @ 25°C	15ns/250ns
Test Condition	1360V, 10A, 10Ohm, 15V	Reverse Recovery Time (trr)	25 ns
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	IXBA16

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..