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IRLS3036TRL7PP +BOM

MOSFET MOSFT 60V 300A 1.9mOhm 110nC LogLv7

IRLS3036TRL7PP Descrizione generale

N-Channel 60 V 240A (Tc) 380W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)

Caratteristiche principali

  • Rapid recovery from faults and failures
  • Simplified troubleshooting and error correction
  • Precise real-time monitoring and control
  • High accuracy and reliability in critical systems

Applicazione

  • High-performance power management
  • Smart energy solutions
  • Precision motor control

Specifiche

Pbfree Code Yes Part Life Cycle Code Active
Reach Compliance Code not_compliant ECCN Code EAR99
Factory Lead Time 52 Weeks Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Avalanche Energy Rating (Eas) 300 mJ Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE DS Breakdown Voltage-Min 60 V
Drain Current-Max (ID) 240 A Drain-source On Resistance-Max 0.0019 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR JEDEC-95 Code TO-263CB
JESD-30 Code R-PSSO-G6 JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level 1 Number of Elements 1
Number of Terminals 6 Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Peak Reflow Temperature (Cel) 260 Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 1000 A Surface Mount YES
Terminal Finish MATTE TIN OVER NICKEL Terminal Form GULL WING
Terminal Position SINGLE Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30
Transistor Application SWITCHING Transistor Element Material SILICON
Series HEXFET® FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 240A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9mOhm @ 180A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 160 nC @ 4.5 V Vgs (Max) ±16V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11270 pF @ 50 V Power Dissipation (Max) 380W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type Surface Mount
Base Product Number IRLS3036

Politiche di servizio e altro

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