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IRLR9343TRPBF +BOM

343TRPBF, MOSFET 30V 1 P-CH HEXFET 105mOhms 31nC":

IRLR9343TRPBF Descrizione generale

Upgrade your electronic devices with the IRLR9343TRPBF Power Field-Effect Transistor and experience improved power delivery and performance. This high-quality transistor is designed for a current rating of 20A and a voltage rating of 55V, making it suitable for a wide range of applications. The P-Channel Silicon Metal-oxide Semiconductor FET offers a low on-resistance of 0.105ohm, ensuring efficient power transmission. The TO-252AA package is lead-free and made of durable plastic, providing long-lasting reliability for your electronic projects

Caratteristiche principali

  • - Enhancement-mode
  • - Single-channel
  • - P-channel MOSFET
  • - Silicon technology
  • - Drain-source breakdown voltage of -20 V
  • - Gate-source voltage of 20 V
  • - Drain current of -20 A
  • - Fall-time of 9.5 ns
  • - Typical turn-off delay time of 21 ns
  • - Maximum operating temperature of +175 C

Specifiche

Source Content uid IRLR9343TRPBF Part Life Cycle Code Active
Reach Compliance Code not_compliant ECCN Code EAR99
Factory Lead Time 52 Weeks Avalanche Energy Rating (Eas) 120 mJ
Case Connection DRAIN Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 55 V Drain Current-Max (ID) 20 A
Drain-source On Resistance-Max 0.105 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code TO-252AA JESD-30 Code R-PSSO-G2
JESD-609 Code e3 Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1 Number of Terminals 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type P-CHANNEL Pulsed Drain Current-Max (IDM) 60 A
Qualification Status Not Qualified Surface Mount YES
Terminal Finish MATTE TIN OVER NICKEL Terminal Form GULL WING
Terminal Position SINGLE Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30
Transistor Application AMPLIFIER Transistor Element Material SILICON

Politiche di servizio e altro

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