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IRLR3410TRRPBF +BOM

MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms 22.7nC

Produttore:

Infineon
ProduttorePart #:

IRLR3410TRRPBF
Scheda dati:

IRLR3410TRRPBF Scheda dati (PDF)
REACH:

Details
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
EDA/CAD Modelli:

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IRLR3410TRRPBF Descrizione generale

N-Channel 100 V 17A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)

Specifiche

Product Category	MOSFET	REACH	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100 V	Id - Continuous Drain Current	15 A
Rds On - Drain-Source Resistance	155 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 16 V, + 16 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2 V	Qg - Gate Charge	22.7 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 175 C
Pd - Power Dissipation	52 W	Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single	Fall Time	26 ns
Height	2.3 mm	Length	6.5 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	53 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Type	HEXFET Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	30 ns	Typical Turn-On Delay Time	7.2 ns
Width	6.22 mm	Unit Weight	0.011640 oz

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