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IRL530NSTRRPBF +BOM

Compact TO-B package reduces PCB spac

Produttore:

Infineon
ProduttorePart #:

IRL530NSTRRPBF
Scheda dati:

IRL530NSTRRPBF Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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IRL530NSTRRPBF Descrizione generale

N-Channel 100 V 17A (Tc) 3.8W (Ta), 79W (Tc) Surface Mount D2PAK

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100 V
Id - Continuous Drain Current	17 A	Rds On - Drain-Source Resistance	150 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2 V
Qg - Gate Charge	22.7 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Pd - Power Dissipation	3.8 W
Channel Mode	Enhancement	Configuration	Single
Fall Time	26 ns	Forward Transconductance - Min	7.7 S
Height	2.3 mm	Length	6.5 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	53 ns
Factory Pack Quantity	800	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Type	HEXFET Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	30 ns	Typical Turn-On Delay Time	7.2 ns
Width	6.22 mm	Unit Weight	0.011640 oz

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