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IRFZ34NPBF +BOM

N-Channel 55 V 29A (Tc) 68W (Tc) Through Hole TO-220AB

IRFZ34NPBF Descrizione generale

Housed in a TO-220AB package, the IRFZ34NPBF ensures thermal stability and easy mounting onto heat sinks for temperature control. Its high current capability makes it suitable for high-power applications where reliability is crucial. With fast switching speed and low gate charge, this transistor excels in high-frequency applications, delivering exceptional performance. Additionally, its low input capacitance and high peak current capability further enhance its overall efficiency

Caratteristiche principali

  • To-220 package style
  • Low gate charge for improved performance
  • RDS(on) of 0.044Ω for efficient operation

Applicazione

  • High power amplifiers
  • Automotive systems
  • Robotics

Specifiche

Source Content uid IRFZ34NPBF Part Life Cycle Code Active
Reach Compliance Code compliant ECCN Code EAR99
Factory Lead Time 15 Weeks, 3 Days Avalanche Energy Rating (Eas) 65 mJ
Case Connection DRAIN Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 55 V Drain Current-Max (ID) 29 A
Drain-source On Resistance-Max 0.04 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code TO-220AB JESD-30 Code R-PSFM-T3
Number of Elements 1 Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 175 °C
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 68 W Pulsed Drain Current-Max (IDM) 100 A
Qualification Status Not Qualified Surface Mount NO
Terminal Form THROUGH-HOLE Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON

Politiche di servizio e altro

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