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Vedi Specifiche Tecniche

IRFR3710ZPBF +BOM

MOSFET transistor featuring N-channel Silicon technology

Produttore:

Infineon
ProduttorePart #:

IRFR3710ZPBF
Scheda dati:

IRFR3710ZPBF Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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IRFR3710ZPBF Descrizione generale

The IRFR3710ZPBF is a high-performance power field-effect transistor with a maximum current rating of 42A and a voltage rating of 100V. This N-channel silicon MOSFET features a low on-resistance of 0.018ohm, making it suitable for high-power applications where efficiency is critical. The TO-252AA package ensures easy mounting and thermal dissipation, while the lead-free and plastic construction meets environmental standards. With its DPAK-3 design, this transistor offers reliable performance in a compact form factor

Caratteristiche principali

Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
Multiple Package Options
Lead-Free

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100 V
Id - Continuous Drain Current	56 A	Rds On - Drain-Source Resistance	18 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Qg - Gate Charge	69 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 175 C
Pd - Power Dissipation	140 W	Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single	Fall Time	42 ns
Height	2.3 mm	Length	6.5 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	43 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Type	Automotive MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	53 ns	Typical Turn-On Delay Time	14 ns
Width	6.22 mm	Part # Aliases	SP001555090
Unit Weight	0.011640 oz

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