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IRFR2905ZPBF +BOM

IRFR2905ZPBF MOSFET

IRFR2905ZPBF Descrizione generale

This TO-252AA packaged FET features a compact and versatile design, making it easy to integrate into various circuit layouts. The lead-free construction of the IRFR2905ZPBF ensures environmental friendliness and compliance with international regulations. Its plastic DPAK-3 housing provides excellent thermal performance and durability, ensuring long-term reliability in demanding applications

Caratteristiche principali

  • Advanced Process Technology
  • Ultra Low On-Resistance
  • 175°C Operating Temperature
  • Fast Switching
  • Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
  • Lead-Free

Specifiche

Source Content uid IRFR2905ZPBF Part Life Cycle Code Obsolete
Reach Compliance Code not_compliant ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE Avalanche Energy Rating (Eas) 82 mJ
Case Connection DRAIN Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 55 V Drain Current-Max (ID) 42 A
Drain-source On Resistance-Max 0.0145 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code TO-252AA JESD-30 Code R-PSSO-G2
JESD-609 Code e3 Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1 Number of Terminals 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 175 °C
Peak Reflow Temperature (Cel) 260 Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 110 W Pulsed Drain Current-Max (IDM) 240 A
Qualification Status Not Qualified Surface Mount YES
Terminal Finish MATTE TIN OVER NICKEL Terminal Form GULL WING
Terminal Position SINGLE Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30
Transistor Application SWITCHING Transistor Element Material SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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