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IRFR2405PBF +BOM

Infineon IRFR2405PBF N-channel MOSFET

Produttore:

Infineon
ProduttorePart #:

IRFR2405PBF
Scheda dati:

IRFR2405PBF Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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IRFR2405PBF Descrizione generale

The IRFR2405PBF from International Rectifier is a powerful MOSFET transistor designed to meet the high-efficiency power management needs of various applications. Its impressive drain-source voltage rating of 55V, combined with a continuous drain current of 42A, makes it an ideal choice for power conversion with minimal loss. With a low on-state resistance of 10.5mΩ, this MOSFET ensures high efficiency in power management

Caratteristiche principali

Accurate current limiting
High-speed switching capability
Laser-trimmed epitaxial growth
Silicon-controlled rectifier technology

Applicazione

Electronic components
Power management
Battery chargers

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	55 V
Id - Continuous Drain Current	56 A	Rds On - Drain-Source Resistance	16 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Qg - Gate Charge	70 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 175 C
Pd - Power Dissipation	110 W	Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single	Fall Time	78 ns
Height	2.3 mm	Length	6.5 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	130 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Type	HEXFET Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	55 ns	Typical Turn-On Delay Time	15 ns
Width	6.22 mm	Part # Aliases	SP001556920
Unit Weight	0.011640 oz

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