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IRFR1205 +BOM

Silicon N-Channel Metal-oxide Semiconductor FET

Produttore:

INFINEON
ProduttorePart #:

IRFR1205
Scheda dati:

IRFR1205 Scheda dati (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
Reach Compliance Code:

not_compliant
ECCN Code:

EAR99
Additional Feature:

AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE
EDA/CAD Modelli:

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IRFR1205 Descrizione generale

The IRFR1205 is an essential component for any electronics designer looking to create high-performance DC motors, inverters, or SMPS systems. With its proven silicon processes and wide portfolio of devices, the IR MOSFET family offers a flexible solution for a variety of applications. Whether you're working on lighting, load switches, or battery-powered systems, the IRFR1205 provides the reliability and performance you need

Specifiche

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN Code	EAR99	Additional Feature	AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE
Avalanche Energy Rating (Eas)	210 mJ	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	55 V
Drain Current-Max (ID)	20 A	Drain-source On Resistance-Max	0.027 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95 Code	TO-252AA
JESD-30 Code	R-PSSO-G2	JESD-609 Code	e0
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	2	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Peak Reflow Temperature (Cel)	240	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	160 A	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES	Terminal Finish	TIN LEAD
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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